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    紧接着在1972年，霓虹电工实验室的Yasuo Tarui、Yutaka Hayashi和Kiyoko Naga，共同发明了EEPROM（电可擦除可编程ROM）。

    从ROM发展到EEPROM之后，这种非易失性存储技术并没有停止前进的脚步。

    最后在1980年，改变整个行业的人终于出现了，他的名字便是桀冈富士雄。

    这个新型EEPROM擦除数据的速度极快，桀冈富士雄的同事根据其特点，联想到照相机的闪光灯，于是将其取名为FLASH（闪存）。

    只不过东芝方面并不打算支持自家人的这个设计思路，而是打算深化自家的DRAM技术。

    常说的“电脑内存”便是指DRAM，它便属于上面提到过的易失性存储器。

    目前霓虹的DRAM技术正强势碾压鹰酱爸爸。东芝便是基于这个理由，想要继续巩固DRAM的红利，不打算深入推进闪存产业。

    “既然是闪存的前身，那技术方面应该是没有太大的问题，问题就是成本么……对了，你们有没有联系过那位桀冈先生？

    还没有的话……”

    “联系过了。东芝方面虽然不怎么重视闪存这种新型EEPROM技术，但如果是普通的EEPROM芯片，桀冈先生会提供几种方案给我们。”

    “不错，那你尽快尝试一下。SRAM虽然便宜点，但加上电池后的空间成本应该也不小……问问东芝那边，如果我们大量采购，价格能便宜多少。

    还有，私底下多联络那位桀冈先生，就说我对他的闪存技术很感兴趣。如果他有其他想法，我可以为他提供他所需的一切！”

    加藤荣治这是在说大话，现阶段他要人没人，要仪器没仪器，有的仅仅是小钱钱。

    但像桀冈富士雄这样的顶尖人才，自己只要肯提供源源不断的小钱钱，他应该自己就能搞定绝大多数工作。

    所以加藤荣治也不觉得这大话说得有多过分，顶多就是把人家挖角过来后，让人家自己辛苦一点就是了。

    中东那群石油佬不也就只有小钱钱么，桀冈富士雄后来还不是去抱他们的金大腿。凭啥自己就不能忽悠一下对方，反正自己的小钱钱可也是货真价实的。

    原来桀冈富士雄在1993年将会离开东芝，然后在东北大学一边培养年轻技术人员，一边坚持自己的研究。而他正在开发的新型半导体名为“SGT”。全称Single Gate Transistor工艺，是一种用于制造晶体管的半导体工艺。

    相较于1959年出现的使用双栅极（Multi-Gate）结构制造晶体管的MOSFET工艺，SGT工艺是一种新型的单栅极结构制造晶体管的工艺。

    桀冈富士雄曾表示SGT回路的显微镜照片，几个回路纵向排列,理论上可缩小到当时半导体大小的十分之一,实际化后，可适用于DRAM闪存等所有半导体。

    但这位技术大佬又一次遇到了之前他开发出闪存设计后面临的尴尬：没有霓虹企业愿对耗时的SGT研究进行投资。

    反而是在迪拜经营霓虹车的阿拉伯企业表示愿意投资，企业名为Unisantis，是由沙特的某财团组建的投资公司，公司的董事长尤斯福加米尔。

    桀冈富士雄最后从Unisantis那里得到了100亿日元的投资。虽然那是升值了十几二十年后的100亿日元，但对现在的加藤荣治来说依然在可接受范围内。

    要想挖角这种真正的技术大拿，在自己这种只剩钱的情况下，要是还舍不得花钱，那就真的是不知所谓了。

    目暮宏犹豫了半天，最后在准备离开加藤荣治办公室的时候，还是没有忍住心底的好奇与不安，回头询问道：“老板，你打算涉足半导体产业？”

    加藤荣治思考了会，摇头道：“准确的说是闪存领域，暂时也只是闪存领域。前提是那位桀冈先生愿意屈尊过来。

    没有这种大师级的技术人员坐镇，我也不会真的花大力气搞这个。我们的当务之急还是搞定家用机的存档功能。

    MFC主机应该是没办法了，只能从卡带方面着手。下一代主机我希望能尽量解决这个问题。这方面你和上村副部长可以多找那位桀冈先生交流。

    呃，放心。就算人家真的愿意屈尊，我也不会把你技术部部长的头衔给摘了的~~”

    　　


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